上地幔物質(zhì)組成剖面

上地幔剖面

根據(jù)計算所得到的超鎂鐵巖包體的壓力估算出相應(yīng)的深度，并考慮到巖漿起源的深度，地球物理資料等可作出東北地區(qū)上地幔物質(zhì)組成的概略柱狀圖，能恢復(fù)出來的剖面僅僅是上地幔的上部，能直接看到的較深的包體來自深度大約2C0km處。由于超鎂鐵巖包體主要來自上地幔較上部，對這一部分的剖面了解得較為詳細(xì)。

(1)尖晶石二輝橄欖巖層：自莫霍面(約35km)到約120km。主要為弱虧損型尖晶石二輝橄欖巖，少數(shù)為中等程度虧損的貧單斜輝石的尖晶石二輝橄欖巖及強(qiáng)虧損的方輝橄欖巖。在大約60―70kin處見有含角閃石的尖晶石二輝橄欖巖。在50―100kin范圍內(nèi)，廣泛分布有輝石巖分凝體。玄武巖碎石價格以及玄武巖粉碎機(jī)在玄武巖的加工中，一直都被人們關(guān)注著。根據(jù)地震資料，北京―薩哈林剖面地?？v向速度結(jié)構(gòu)(宋仲和等，1981，在約60―120kin深度范圍內(nèi)為低速層。低速層分布于該尖晶石二輝橄欖巖層的中下部。新生代幔源原生玄武巖巖漿起源的深度集中在50―80km范圍內(nèi)，正好符合于由地震資料推算出的低速層的頂部。這種相符合性暗示了新生代時期的低速層位置可能大致與現(xiàn)代低速層位置相當(dāng)，只是有一點差異，即新生代時期由于低速層頂面的上升，局部地區(qū)可能達(dá)更淺的位置。

這說明新生代玄武巖巖漿的發(fā)生與低速層頂面位置直接相關(guān)，巖漿庫是由低速層內(nèi)少量的局部熔漿向頂部分凝集中而形成。看來，在低速層頂面形成的巖漿庫可能與新生代時期大陸裂谷構(gòu)造的發(fā)育，許多巖石圈斷裂深達(dá)低速層頂面有關(guān)，少量拉張性斷裂的到達(dá)，使得壓力降低，有利于本來存在于低速層內(nèi)的少量局部熔融的熔漿向這些低壓的斷裂區(qū)集中形成巖漿房，然后攜帶大量弱虧損的尖晶石二輝橄欖巖碎塊，快速上升達(dá)地表。宋仲和等(1981)的研究表明，日本島弧下的上地幔上部無低速層，日本海溝以外的大洋下的上地幔低速層的深度較大。這表明，東北地區(qū)低速層頂界的深度較淺?？磥?，這種“過熱。的上地幔是新生代時期該區(qū)活化的根本原因。

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